이차전지 장비
음극 소재의 성능을 획기적으로 개선하는 신공정을 소개합니다.
Performance Boosting Method
DRY Etching + Filling Coating
- 개요
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차세대 실리콘 음극재를 위한
Powder 기반 다공성 구조 정밀 제어 에칭 · 코팅 솔루션① Powder-Dry Etching
실리콘 기반 입자의 다공성 기공 구조를 정밀하게 제어② Pore-Filling Coating
기공 내부 코팅을 통해 구조적 안정성과 전기전도성을 동시에 향상
- 기술 특장점
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Damage-Free Process
Dry Etching 기반 공정을 적용하여 물리적 마찰과 소재 구조 손상 없이 정밀한 기공 제어 가능 -
친환경 공정 설계
습식 공정 대비 반응 부산물 발생이 적고 세척 공정 불필요에 따른 폐수 발생 최소화 -
광범위한 소재 적용성
Si, SiOx, Si-alloy 등 다양한 차세대 음극 소재에 즉시 적용 가능한 범용 공정 플랫폼 -
제조 원가 경쟁력 확보
화학 약품 사용량 감소, 폐기물 처리 비용 절감, 공정 단계 단순화를 통해 전체 제조 비용 절감 효과 제공
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Damage-Free Process
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Powder Dry Etching
- Pure Si 및 SiOx 등 Si 계 원소재 적용
- 기공 조절 (정밀 기공 구조 제어)
PDE-1K (특허 등록: 10-2893884)
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PDE Experimental System
- R&D Prototype / 공정 개발 및 성능 검증
PDE-1K (특허 등록: 10-2893884)
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Pore Filling Coating
- 미세 구조 Filling 대용량 化 장비
- 금속화합물, 금속 thin-film Deposition 가능
- 증착량 정밀 조절
PFC-1K (특허 등록: 10-2008056)
- 공정 전 Powder
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- Dry-에칭 후 Powder
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별도 건조 공정 없이 Dry 상태 유지
SiOx Dry-에칭 후 시료 단면 (SEM-FIB)
내/외부 구조적 손상 없음
